国内首款45nm PC 神舟G6800独家首测

    新梦G6800采用英特尔最新上市的45nm工艺双核心处理器E8200，该处理器采用最新的45nm工艺制造，采用Wolfdale核心架构，由4.1亿个晶体管组成，相比之前65nm Conroe架构的2.91亿个晶体管有了很大的提升，采用双核心设计，LGA775接口，主频为2.66GHz，外频为333MHz，倍频为8X，一级数据缓存为32KBytes，共享6MB的二级缓存，1333MHz前端总线，支持MMX、SSE、SSE2、SSE3、SSSE3、SSE4.1多媒体指令集，具备EM64T 64位运算指令集、EIST节能技术。内核电压1.21V，热设计功耗65W。

英特尔 酷睿2双核 E8200

    上面是我们在网上搜集的关于英特尔 酷睿2双核 E8200的详细数据，我们都知道，处理器的性能主要是由处理核心、前端总线、总线频率等参数决定的，因此，我们大概能够估计出这款处理器的真实性能。从频率上来看，这款处理器与英特尔 酷睿2双核 E6750处理器相同。因此，我们最初的感觉是，E8200处理器与E6750在性能上相差无几，由于工艺的提升，E8200可能稍强一些。

英特尔 酷睿2双核 E8200

    理论上，工艺提升后会带来性能提高成本下降的好处，且根据最初英特尔公布的预计售价，Intel Core 2 Duo E8200的正式零售价应该在1200元左右。虽然，Intel Core 2 Duo E8200的上市价格高达1599元，但是目前也已经降至1200元左右。从市场的情况来看，这款处理器是接替Intel Core 2 Duo E6550位置，并提高千元级双核性能档次的。

散热器

    45纳米处理器E8200的面世，最大的特点并不是性能上大幅度的提升，而是可以令CPU达到更高的频率以及更低的功耗水平。

    45nm Penryn处理器使用了高K金属栅极技术，成功解决了漏电危机和信号延迟的问题。而且High-K材料与金属栅极的组合，使驱动电流或晶体管性能提高了20%以上。同时，使源极-漏极漏电降低了5倍以上，大幅提高了晶体管的效能。由于我们没有合适的平台进行对比，因此关于处理器性能方面的问题，只能在稍后为大家单独呈现。