1066Mbps/更低功耗 三星20nm内存将量产

　　据国外媒体称，三星电子将要大批量生产20nm工艺的4Gbit LPDDR2内存，相比之前的30nm工艺更加的超薄和节能。据了解，新一代20nm LPDDR2内存颗粒的厚度仅为0.8mm，速度（主频）可达1066Mbps，并且拥有相比之前更少的功耗。不仅可以让手机或平板拥有大容量存储空间，而且对续航能力也有一定的提升。

三星20nm 4Gbit LPDDR2内存将量产（图片引自互联网）

　　三星方面也希望20nm工艺的4Gbit LPDDR2颗粒能取代30nm工艺产品。目前像日版三星GALAXY S III以及LG Optimus LTE 2都有迹象表示会采用2GB内存。三星方面预测称，20nm内存在2012年会拥有13%市场占有率；在2013年将会拥有49%的市场占有率；2014年这个数字会达到63%。届时手机和平板的主流内存也会上升到2GB。

原文出处：http://mobile.zol.com.cn/295/2951025.html

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