●内存时序设定详解
内存参数的调节相对挑战极致外频来说宽松一些,根据所使用的内存属性设置即可。如在本次测试中所用PATRIOT内存采用镁光D9颗粒,拥有极强的频率和延迟性能。当内存工作在DDR3-1600以上时仍然能够使用较低的延迟:7-7-7-19-5-72-12-5,这样可能获得的测试成绩会更加理想一些。不过如果只以尝试外频为目的,建议用户使用宽松的时序,较低的内存分频,减小内存出现瓶颈的可能性。
此外
“3rd Information”(第三信息)内的内存参数对性能影响已经微乎其微,只与内存稳定性存在少许关联,因此建议用户尽可能维持Auto。
“DRAM Static Read Control”(内存静态读取)和“DRAM Dynamic Write Control”(内存动态写入)这两项设定与内存执行效率关系紧密,理论上全部开启将获得最理想内存效能。但是后者开启时往往会降低内存的超频能力,得不偿失。而前者在内存频率未至极限时基本都可开启,建议设为Enable。
必须注意到上图中的最下方的功能选项“EPUII Phase Control”(供电相数控制),这是华硕通过电源管理芯片EPU实现的节能功能,它能够根据处理器负载程度增减供电相数。为了加强超频的可靠性,推荐设为Full Phase。