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内存一周谈:512Mb内存芯片涨破1美元

作者: 编辑:陈建军 02-02
  DRAM现货价经过一周(1/17-1/21)激情地演出,价格强劲反弹15.6%,上周(1/22-1/28)现货市场趋于平稳,以一周平均价观察,上周DDR2 512Mb eTT及DDR2 1Gb eTT的现货颗粒价仅微跌1%,DDR2 512Mb与1Gb价格分别守在约1.10美元与2.20美元左右。品牌颗粒与eTT颗粒价差也缩小,显示市场激情虽歇,但对于后市的价格趋势表现,持乐观的态度,尤其DRAM厂普遍预测DRAM价格于第一季落底,并有机会于季末三月反弹,也使市场人士乐观以待。

  根据集邦科技统计,以现货市场一月份的DDR2 512Mb eTT及DDR2 1Gb eTT现货颗粒的最高与最低价格来分析,DDR2 512Mb eTT为1.17美元与0.84美元,DDR2 1Gb eTT为2.33美元与1.72美元,分别上涨了39.3%与35.5%。此外,一月的DDR2 512Mb eTT 及DDR2 1Gb eTT的均价为0.96美元及1.94美元,与十二月DDR2 512Mb eTT的0.83美元及DDR2 1Gb eTT的1.75美元均价相比,也有15.7%与10.9%的涨幅。台系晶圆厂岁修加上DRAM价格落底讯号出现为带动现货价格上涨的主要因素。


  合约市场方面,二月上旬的合约价仍在洽谈中。但现货市场的颗粒价格近一月来,价格大涨,DRAM厂倾向调涨3%-5%。由于目前现货价与合约价价差高达20%以上,部份DRAM厂有调高现货市场出货比例的计划出现,主要因为一则现货价获利较高,二则降低合约市场DRAM供应,以进一步拉抬合约价。但实际状况对未来现货价、合约价的影响,则有待更进一步观察。

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