IDF 2007：马博谈45纳米High-K技术

　　众所周知，英特尔在芯片发展方面担当着行业领导者的角色，不仅率先推出了 90纳米应变硅技术，而且目前又首家推出了45纳米高金属栅极晶体管。在一场名位“芯片技术的领先地位与全新扩展范例”的主题演讲中，英特尔高级院士马博从技术角度对这些卓越成就进行了深入阐述。

　　英特尔将在新一代45纳米Penryn核心处理器上采用高介电薄膜（High-K Dielectrics）和金属门集成电路。当前使用的多晶硅门（Polysilicon Gate）将被一个金属层代替，而基座与晶体管之间的二氧化硅层也将被一个高介电薄膜所取代。英特尔采用高K技术和金属门晶体管可能比制程的提升更为有效。

　　英特尔的手册中指出，运用高K技术和金属门晶体管可以将电流提升20%，这反映到性能上也就是约20%的性能提升。与当前的酷睿2桌面处理器相比，采用新技术的Penryn处理器在源极漏极的电流泄露将减少5倍，而介电薄膜的电流泄漏将减少10倍。