IBM的三维芯片研究

IBM十多年以来一直在IBM T.J. Watson研究中心研究三维堆叠技术，而目前对这项技术的研究已经遍布了IBM设在世界各地的实验室当中。美国国防部先进技术研究计划署（DARPA）一直在支持IBM开发将芯片扩展到三维所需的各种工具和技术，旨在提高性能以及推动芯片技术的新应用。

IBM在芯片领域的突破

IBM一直引领着整个行业探索新的材料和架构，从而拓展摩尔定律，这次也是5个月以来IBM第5次实现重大的芯片突破。

n  2006年12月，IBM宣布制造出了第一个使用浸没式光刻技术及超低K (ultra-low-k) 电介质互联技术的45nm芯片。

n  2007年1月，IBM宣布开发出了“高k金属门（high-k metal gate）”，该产品为控制晶体管主要开/关功能的关键部分提供了一种新材料。这种材料拥有极其优异的导电特性，同时可以将晶体管的大小缩减到目前无法达到的水平。

n  2007年2月，IBM推出第一种片上on-chip内存技术，创造了eDRAM（嵌入式动态随机访问存储器）有史以来最快的访问速度。

n  2007年3月，IBM推出了一种光收发器芯片组原型，速度比目前的光学组件至少快8倍。