● AMD —— 沉浸式光刻技术
相对于Intel复杂的用料及工艺流程来说，AMD所采用的45nm技术则相对的简单，AMD的45纳米制程工艺是联合IBM一同研发。这项技术包括了超低K电介质互联技术、多重增强晶体管应变技术和沉浸式光刻技术。
AMD全新45nm技术
超低K电介质可以降低串联电容、降低写入延迟和能量消耗，从而明显提升性能功耗比；而沉浸式光刻技术，实际上就是在激光蚀刻头的中间加入一种特殊的液体来修正光的折射，从而让其在晶圆上更好的刻录晶体管。用这种工艺设计生产的SRAM芯片可获得约15％性能提升。
真正解决AMD在 45纳米技术难题的是多重增强晶体管应变技术 ，AMD和IBM称，与非应变技术相比，这一新技术能将P沟道晶体管的驱动电流提高80％，将N沟道晶体管的驱动电流提高24％。可见，制程的提升极大地提升了处理器的潜在性能，并同时赋予了产品更强的功耗控制能力。
● Intel及AMD 制作工艺解析简表
| 45nm制作工艺解析简表 | ||
| Intel | AMD | |
| 应用技术 | High-k技术
hafnium铬元素材料 Metal Gate栅极 锡、银、铜合金焊接（100%无铅） |
超低K电介质互联技术
多重增强晶体管应变技术 沉浸式光刻技术 |
| 性能变化 | 漏电率降低10倍
开关速度能够提升20% 耗电量降低30% 驱动电流增加20% |
SRAM芯片约15％性能提升
P沟道晶体管驱动电流提高80％ N沟道晶体管的驱动电流提高24％ |
可以看出，Intel与AMD在45nm的制作工艺上各有千秋，均能够很好的满足降低功耗及成本的目的，同时也带来了更明显的性能提升。当然，Intel所采用的全新材料有着更为明显的突破，使其在行业内有着领先的一面，也更加坚定了其行业领袖的地位
