英特尔32nm处理器箭在弦上
北京时间今天中午12点，英特尔向全球媒体正式公布了其32nm处理器的最新进程和产品细节。这次技术发布是Intel “Tick-tock” 在2009年度的最新进展，英特尔带来了多个让人激动的消息，这包括全球首家32nm处理器量产已经准备就绪以及全球首个整合图形处理器（GPU）的x86处理器的问世。
英特尔向媒体展示首款32nm桌面级处理器
● Intel 32nm 制造工艺准备就绪
作为Intel“Tick-tock” 战略的推进步骤，英特尔今年将把主流产品已经成熟45nm制造工艺升级到下一代的32nm工艺上来，但在CPU的微架构方面将基本延续酷睿i7架构进行扩展。
自07年下半年英特尔成功开发出19亿晶体管的4GHz速度32nm SRAM测试芯片以来，32nm工艺技术一直顺利推进，08年底时32nm处理器定型已经基本完成，到现在为止，英特尔CPU和SoC两种芯片的32nm化在技术端已经彻底就绪，投入生产的时间完全取决于市场。
32nm处理器将在这四个工厂生产
为了完成处理器产品向32nm技术的过渡，英特尔在未来两年内上马四座fab芯片生产厂。位于俄勒冈州的D1D芯片厂目前已经投入使用，同样位于俄勒冈州的D1C芯片厂将于2009年第四季度投入使用。2010年，英特尔将再建两座制造工厂。位于亚利桑那州的Fab 32生产厂和位于新墨西哥州的Fab 11X生产厂。
● Intel 32nm 制造工艺的技术优势
和现有的45nm工艺相比，32nm工艺在以下几个方面有着显著的变化：
>>32nm工艺使用第二代高-K金属栅级
0.9nm等价氧化物厚度高-K（45nm技术是1nm）
金属栅级工艺流程更新
30nm栅极长度
第四代应变硅
>>有史以来最紧密的栅极间距
第一代32nm技术将使112.5nm栅极间距
>>有史以来最高的驱动电流
>>晶体管性能提升22%
>>同比封装尺寸将是45nm工艺产品的70%
32nm的栅极间距更密但漏电率仍然得到改善
向对于45nm工艺，NMOS晶体管的漏电量减少5倍多，PMOS晶体管的漏电量则减少10倍以上。由于上述改进，电路的尺寸和性能均可得到显著优化。
英特尔方面宣称，第一批32nm处理器的功耗将和现有同档次45nm处理器大致持平或稍低，但性能会大幅度提升。显然，在微架构没有改变性能得到提升的途径就是提升处理器的频率，也许4GHz对于32nm处理器只是小菜一碟。
