上代架构的六核心Dunnington Xeon 7400已经扩充到了12/16MB三级缓存，而同样基于Nehalem架构、定位双路和单路市场的Xeon 5500/3500系列只有8MB，那么24MB是如何做到的呢？特别是功耗方面如何管理？
Intel表示，Nehalem-EX Xeon的24MB三级缓存采用24路集联、8端口方式运行，由45nm HKMG工艺结合9层铜互联制造而成，存储单元面积0.3816平方微米，在电源管理和功耗控制方面的主要技术有：
－ 使用休眠晶体管(Sleep Transistor)，最大程度地控制漏电功耗
－ 新增关闭选项，用于消除已禁用部分缓存的漏电
－ 更完善的时钟门控，降低动态功耗
－ 缓存独立供电，使之运行在最低工作电压上，在满足目标频率的同时让功耗最小化
－ SRAM单元在关闭期间电压最低只需0.36V，可减少大约83％的漏电功耗
－ 其他一系列冗余举措，确保处理器的可制造性
Intel称，正是因为以高密度、低功耗、设计重用性为目标，并采用了这一系列优化技术，才得以实现超大容量的三级缓存，既确保了高性能，又实现了高能效。
八核心Nehalem-EX处理器定于今年下半年正式发布，可能定名Xeon 7500系列，取代六核心Dunnington Xeon 7400系列。
