美光曾因M4固态硬盘一度辉煌，自从苹果去三星化之后，美光皈依苹果，大有以身相许之势。美光以闪存供应紧张为由，抛弃原有的合作伙伴。众多原来的合作伙伴被迫改弦易辙，投奔英特尔、东芝。
美光25nm闪存一度广泛应用于OCZ、浦科特、金士顿、威刚、影驰等厂家的固态硬盘。它在OCZ Vector固态硬盘上得到最完美的发挥。不过美光最新的20nm闪存可就虎头蛇尾，远远没有当年M4时期25nm闪存那股气吞山河的气势。
●美光M500 480GB固态硬盘
零售价格：2499元
2.5英寸SATA接口的美光M500 SSD（图片来自驱动之家）
美光20nm闪存芯片（图片来自驱动之家）
美光20nm闪存对比上一代25nm闪存，首次支持ONFI3.0，它的最大速率从200Mbps提升到333 Mbps；其次美光20nm闪存堆die现象较为严重，对固态硬盘的性能造成一定负面影响。
美光M500 480GB固态硬盘 AS SSD持续读写速度
应该说，美光20nm闪存的硬伤还是较为明显，主控不支持美光20nm闪存的ONFI3.0，降低到200Mbps速率；其次是闪存的堆die现象较为严重，美光20nm闪存的速率达不到ONFI3.0的标准。
最终它的持续读写速度均未能突破500MB/秒，后面240GB、120GB版本的写入速度缩水较为厉害。
美光M500 480GB固态硬盘 AS SSD IOPS
AS SSD的总分和IOPS和OCZ Vertex4 128GB固态硬盘差不多，和三星840PRO、OCZ Vector、浦科特M5P固态硬盘的性能差距较大。
美光M500在拥有独立缓存的情况下，还将6-7%的容量作为OP冗余缓存，造成硬盘容量缩水。如果不是这部分OP冗余缓存，美光M500的读写性能还要再打折扣。
| 测试成绩 | |||
| 测试子项目 | 美光M500 480GB SSD(20nm） | OCZ Vector 512GB SSD（25nm） | 差距 |
| AS SSD Benchmark读写测试（单位：MB/秒） | |||
| 读取 | 499.99 | 520.61 | -4.12% |
| 写入 | 410.78 | 504.02 | -18.49% |
| 4K-64Trd读 | 337.27 | 382.98 | -11.93% |
| 4K-64Trd写 | 306.5 | 336.16 | -8.82% |
| AS SSD Benchmark 随机读写测试（单位：IOPS） | |||
| 4K随机读取 | 7015 | 8284 | -18.08% |
| 4K随机写入 | 31227 | 34316 | -5.1% |
| 4K-64Trd读 | 86342 | 98043 | -9.89% |
| 4K-64Trd写 | 78465 | 86056 | -9.67% |
| 总计 | |||
| -10.76% | |||
编辑点评：采用20nm闪存的美光M500 480GB固态硬盘不但性能上惨败于采用美光25nm闪存的OCZ Vector 512GB固态硬盘，容量更是少了32GB（作为OP冗余缓存）。
以美光M500 120GB SSD为例，写入速度仅130MB/秒，读写IOPS在62K/35K，就连中端新锐“影驰闪电Pro”、“闪迪至尊高速”、“浦科特M5S”都能轻松秒杀它。
笔者注：“影驰闪电Pro”、“闪迪至尊高速”、“浦科特M5S”均为采用东芝闪存的固态硬盘
一代枭雄变得如此落魄，那么美光20nm闪存有没有翻盘的机会？美光只要得到支持ONFI3.0的先进主控、堆die现象较少的20nm闪存，理论上存在可能。
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