闪存工艺大战 19/20/21nm制程谁主沉浮_三秦IT网_

闪存制造工艺的战争起始于厂家压缩成本，制造更多的闪存芯片，赚取更高的利润。比如美系的美光闪存近水楼台先得月，它靠得苹果这颗大树，不愁闪存卖不掉，几乎到了死心塌地跟随苹果的境地。

●闪存工作模式之争

而在制造工艺之外，还有一场战争，它就是闪存工作模式的竞争。Toggle DDR Mode是三星和东芝两家全球闪存市场的头号领军厂商于2010年6月联合制定的全新闪存接口标准。用来与英特尔、美光、海力士为首的闪存厂商所主打制定的闪存接口标准“ONFI”分庭抗礼。

我们从本文中可以了解到，目前Toggle DDR Mode阵营无论是应用的厂家数量还是产品性能均占据上风。而让人大跌眼镜，ONFI阵营依靠OCZ Vector固态硬盘苦苦支撑，用的还是25nm闪存；应用最新20nm闪存的美光M500固态硬盘，不敌Toggle DDR Mode阵营的新锐固态硬盘。

●ONFI阵营的崛起？

曾有网友如此评论ONFI阵营：英特尔打酱油、美光“得陇忘蜀”（陇指苹果，蜀指原来依附美光的众多SSD厂家）、海力士得过且过。那么ONFI阵营何时才能崛起？

在此提前告诉读者们一个好消息，我们可以抢先看到ONFI阵营的20nm闪存发挥潜力。OCZ已应用最新20nm英特尔闪存在Vertex5 SSD，至少这是我们6月份在Computex 台北电脑展所能看到的实物，我们拭目以待。

注：固态硬盘及内存价格成上浮变动，硬盘价格持续走低，近期装机的用户适当的考虑相关存储产品的预算，才不会对整体装机计划造成影响。