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狂飙1200MHz 32款DDR2内存年末横测

作者: 编辑:吖头 12-13

●DDR2之路并非一帆风顺

  内存行业的远瞻性是令人敬佩的,远在2002年,三星、Elpida、Hynix、Micron等厂商就已经相继发布了DDR 2芯片,开始制定标志的日期就更早了,而那个时候DDR内存才刚刚走上普及的道路。


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Intel 915P是DDR2平台的先驱者

  真正把DDR2内存推向主流市场的是Intel,2004年,首批DDR2平台芯片组i915正式发布,然而DDR2内存的道路却异常坎坷,频率是DDR2的生命,然而早期的DDR2内存型号只有400和533,DDR2 533的性能只和DDR 400在伯仲之间,DDR2 400的表现只能用不堪入目来形容,采购成本更无法和成熟的DDR内存抗衡,结果导致DDR2内存很早就获得了“高频低能”的光荣称号。

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DDR2起步维艰,但仍然取得成了成功

  正如最早的火车在竞速赛中完败于马车,这似乎是所有新兴技术都要面临的尴尬局面。我们只记得火车笑到了最后。然而,大部分新的发明会被尘封在历史中,只有一小部分可以得到命运的眷顾,写下其光辉的一笔。DDR2是幸运的,当DDR内存进化到400MHz之后,遭遇了频率提升的瓶颈,虽然市面上不乏DDR500,DDR533这样的产品,但是已经属于末路狂奔,DDR的规范最终还是止步于400。CPU的FSB还在不断地提升,处理器对带宽的要求仍在不断地增加。此时,所有的希望都落到了DDR2的肩上,当它的频率提升到667MHz以上,价格甚至比DDR还要便宜时,DDR2终于继承了内存标准的宝座,DDR2全面占领了主流市场。

●传承与发扬 4Bit预读取成就DDR2

  DDR2全称Double Data Rate 2,一个由JEDEC(电子设备工程联合委员会)制定的全新标准,与DDR内存相比,仍然采用了在时钟的上升/下降延同时进行数据传输的基本方式,然而它的数据预读取能力被提升到了4Bit,为DDR的两倍,DDR2内存每个时钟能够以4倍外部总线的速度读/写数据,这是一个很聪明的做法,DDR2 800的实际时钟频率为200MHz,和DDR 400完全相等。

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DDR2、DDR、SDRAM预读取对比

  4Bit预读取是DDR2的绝对核心,然而它并不是DDR2的全部,DDR2的进步是全方位的,或许我们可以通过这样的一张表格来了解两代内存之间的差异。

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DDR和DDR2参数对比

  DDR2不但在速度上将DDR甩在了后面,而且还获得了低电压,低功率和低发热量的美名,在移动技术领域这意味着什么,相信已经不用阐明。也许一部分人还在抱怨DDR2的延迟,但为了保证4Bit传输的畅通无阻,避免信号的干扰和数据的冲突,不得不说这是一个明智的做法。而且DDR2的实际延迟并非想象中那么高,以DDR2 800为例,其CL值等于5,实际延迟值为5*(1/800MHz)=0.0125us,而DDR 400的标准CL值为3,实际延迟值为3*(1/200MHz)=0.02us。孰优孰劣,一目了然。

  以下的三项技术我们应该去了解,正是这三项技术的存在,为DDR2的高频率之路清除了障碍,没有它们,或许今天的内存标准,就不会是DDR2。

●OCD(Off-Chip Driver,离线驱动调整)

  DDR2通过OCD可以提高信号的完整性。通过调整上拉(pull-up)/下拉(pull-down)的电阻值使两者电压相等。使用OCD通过减少DQ-DQS的倾斜来提高信号的完整性;通过控制电压来提高信号品质。对于家用电脑而言,OCD的优势并不是那么明显,但是对于对稳定性更高的服务器/工作站领域,它的功能会得到全面的发挥。

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Off-Chip Driver

·关键词:信号完整性

●ODT(On-Die Termination,内建核心的终结电阻器)

  在DDR的地代,为了防止数据线终端反射信号,主板内存插槽附近需要设置大量的终结电阻,直接增加了主板的制造成本,而且主板上的终结电阻并不能非常好的匹配每一种内存模组,还会在一定程度上影响信号品质。不同规范的DDR2可以根据自已的特点内建合适的终结电阻,可以保证最佳的信号波形。ODT技术的使用是双赢的,既降低了主板的成本,还可以使信号品质得到进一步的提升。

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On-Die Termination

·关键词:信号品质


●Post CAS(前置列地址选通脉冲)

  Posted CAS优点在于解决了ACT和CAS信号之间产生碰撞的冲突,提高了命令、数据总线的效率及实际的内存带宽。在Posted CAS的操作中,允许CAS信号紧随着RAS发送,CAS信号(读/写命令)被插到RAS信号后面的一个时钟周期,而且CAS命令可以在附加延迟(Additive Latency)后面保持有效,附加延迟可以在0,1,2,3,4中进行设置。由于CAS信号放在了RAS信号后面一个时钟周期,因此ACT和CAS信号永远也不会产生碰撞冲突。因此,附加延迟也取代了DDR中的tRCD(RAS到CAS的延迟)而成为DDR2专用的概念。

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前置列地址选通脉冲

·关键词:避免冲突

 

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