日本尔必达公司近日宣布，已经在其广岛晶圆厂开始批量生产50nm工艺2Gb Mobile RAM存储颗粒。
超低功耗的Mobile RAM内存主要用在手机或掌上影音设备、移动互联网终端中。尔必达的50nm 2Gb Mobile RAM于去年年底开发完成，采用193nm浸润式光刻与铜互连技术制造。相比70nm产品，它的数据保持电流和工作电流都是前代的一半，在容量翻倍的情况下并未提高电源需求。
尔必达的2Gb Mobile RAM支持MCP多芯片封装、PoP层叠封装等封装技术，使用32bit DDR技术，频率为200MHz，传输传输率达到1.6GB/s。除JEDEC标准的1.8V电压外，该颗粒还可支持1.2V的低电压工作。
